2017 : SIFAT OPTIS LAPISAN INTRINSIK 3-LAYER SILIKON TERHIDROGENASI (Si:H) UNTUK MATERIAL SEL SURYA BERSTRUKTUR PIN

Prof. Dr. Drs. Darminto M.Sc
Drs. Yoyok Cahyono M.Si.

External link

Type

RESEARCH

Keywords

-


Abstract

Sejak sel surya a-Si:H pertama kali dibuat oleh Carlson dan Wronski pada tahun 1976, penelitian dan pengembangan tentang sel surya berbasis a-Si:H telah banyak dilakukan. Tetapi masih banyak persoalan yang belum dapat dijelaskan secara acceptable, satisfied, dan applicable, terutama yang berkaitan dengan rendahnya efisiensi sel surya ini. Diperkirakan rendahnya efisiensi disebabkan oleh kualitas material Si:H dan terbatasnya layer-layer dengan besar celah pita energi yang variatif. Karena itulah tujuan dari penelitian ini adalah mendapatkan gambaran sifat optis komprehensif dari lapisan intrinsik multilayer dan multi celah pita energi. \n\nPenelitian tentang lapisan intrinsik multilayer berbasis Si:H belum banyak dilakukan, dengan demikian masih banyak sifat-sifat dari lapisan intrinsik multilayer ini yang belum sepenuhnya diketahui dan dipahami, misalnya cacat (tail defect / localised state dan dangling bond defect), struktur atom/molekul, pengaruh layer-layer gabungan dengan celah pita energi yang berbeda, kualitas interface antar layer, dan kristalinitas multilayer. Disamping dibutuhkan layer-layer yang banyak dengan berbagai celah pita energi untuk menyerap energi matahari secara maksimal, maka besarnya efesiensi sel surya juga sangat ditentukan oleh sifat layer-layer dari lapisan intrinsik tersebut. Didalam penelitian ini, deposisi lapisan, dan perbaikan struktur dan sifat-sifat lapisan tipis intrinsik multilayer Si:H ini akan dilakukan melalui pengenceran hidrogen dengan menggunakan metode RF-PECVD. \n \nPenelitian dibatasi pada studi sifat optis lapisan intrinsik 3-layer. Analisis akan difokuskan pada struktur dan sifat optis, yaitu struktur atom atau molekul, cacat, kualitas interface (antar layer), absopsivitas, celah pita energi, dan kandungan hidrogen pada lapisan intrinsic 3-layer tersebut. Lapisan 3-layer yang dideposisi dianalisis dengan beberapa karakterisasi, yaitu karakterisasi SEM, UV-Vis, XRD, FTIR, dan fotoluminesen. Kegunaan utama dari penelitian ini adalah untuk pengembangan sel surya berbasis Si:H dengan struktur PIN.\n