Yoyok Cahyono, Mochamad Zainuri, Eddy Yahya, Suminar Pratapa, Darminto : Rekayasa Celah Pita Energi Lapisan Tipis Intrinsik Berbasis Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-Si:H)

Drs. Yoyok Cahyono M.Si.
Drs. Mochamad Zainuri M.Si.
Prof.Dr.Ir Eddy Yahya M.Sc
Prof. Drs. Suminar Pratapa M.Sc., Ph.D.
Prof. Dr. Drs. Darminto M.Sc

Year

-

Published in

SIMPOSIUM FISIKA NASIONAL 2016 (SFN XXIX)

External link

Type

Seminar Nasional

Keywords

celah pita energi, energi Urbach, i-a-Si:H, pengenceran hidrogen, pecvd.


Abstract

Telah dilakukan deposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi intrinsik (a-Si:H), yaitu lapisan tipis a-Si:H tanpa doping melalui variasi pencairan hidrogen R=H2/SiH4 dengan menggunakan metode PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition). Lapisan ditumbuhkan pada kaca ITO (Indium Tin Oxide). Analisis celah pita energy dilakukan untuk mengetahui perubahan struktur lapisan tipis a-Si:H. Celah pita energy penting untuk menentukan porsi spectrum sinar matahari yang diserap sel surya. Sinar matahari dengan panjang gelombang atau energy lebih besar dari lebar celah energy akan diserap oleh sel surya, tetapi sisanya akan menjadi energy termal yang mengakibatkan efisiensi rendah. Dari hasil karakterisasi menggunakan spektrometer UV-Vis dan metode Taucís Plot, didapatkan lebar celah pita energi yang makin besar untuk pengenceran hidrogen yang meningkat. Dapat ditunjukkan juga, bahwa untuk variasi pengenceran hidrogen yang meningkat didapatkan kecepatan deposisi dan energi absorpsi Urbach menurun. Dari hasil karakterisasi dan perhitungan parameter tersebut, diperkirakan bahwa dengan pengenceran hidrogen yang lebih besar, akan didapatkan lapisan tipis intrinsik a-Si:H yang lebih konduktif karena makin berkurangnya residu cacat ekor pita (bandtail defect) maupun cacat dangling bond (midgap defect).